عنوان : افزایش قابلیت اطمینان و راندمان منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما

موسسه آموزش عالی مازیار

دانشگاه مازیار

دانشکده فنی ومهندسی برق مازیار نور

 پایان نامه دوره کارشناسی ارشد در رشته برق قدرت گرایش الکترونیک قدرت

 

موضوع:

افزایش قابلیت اطمینان و راندمان منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما


استاد راهنما:

دکتر عبدالرضا اسماعیلی

 

استاد مشاور:

دکتر سید محمود سادات کیایی

 

اساتید داور:

دکتر سیدمهدی حسینی،دکتر سعیدلسان

تیرماه 1392

برای رعایت حریم خصوصی نام نگارنده پایان نامه درج نمی گردد
(در فایل دانلودی نام نویسنده موجود می باشد)
تکه هایی از متن پایان نامه به عنوان نمونه :
(ممکن می باشد هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود اما در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل می باشد)
چکیده:
بهره گیری از منابع توان پالسی در فرآیندهای مختلف پلاسما با در نظر داشتن ارتباط مستقر شده بین آنها رو به افزایش می باشد. با در نظر داشتن تحقیقات به اقدام آمده در این مورد، طراحی منابع توان پالسی با هدف کاهش تلفات و افزایش راندمان، می تواند تاثیرات مهمی درکاربردهای پلاسما داشته باشد. اساس فناوری سیستم توان پالسی بر پایه ذخیره انرژی زیاد در زمان نسبتا طولانی و آزاد کردن خیلی سریع آن می باشد که هدف از فرآیند آزاد سازی انرژی، افزایش توان لحظه ای آن می باشد. از ویژگی های بارز منابع توان پالسی جهت افزایش راندمان و قابلیت اطمینان، پیچیدگی ها و ریزه کاری آن می باشد. بهبود راندمان و قابلیت اطمینان در منابع توان پالسی با در نظر داشتن کاربرد آن در پلاسما، ارتباط اساسی با مشخصات سیستم های توان پالسی دارد. این پایان نامه یک توپولوژی جدید مبتنی بر مبدل باک بوست اصلاح شده (مثبت) در ورودی مدار منبع توان پالسی پلاسما پیشنهاد می دهد. بر اساس این توپولوژی در محدوده ای مشخص در منبع توان پالسی پلاسما، مجموعه ای از کلیددیودخازن به صورت متوالی اتصال دارند که جهت تولید ولتاژ و dv/dt  بالا به کار می رود. مولفه های کلیدی توپولوژی پیشنهادی برای افزایش قابلیت اطمینان و راندمان عبارتنداز: ساختارتوپولوژی جدید مبتنی بر مبدل DC-DC ، بهره گیری از روش کنترلی مناسب(منبع ولتاژ) و تعیین مقدار انرژی ذخیره شده در المان های اصلی مدار (سلف و خازن). پس توپولوژی ارائه شده به آسانی قابلیت تنظیم، ارتقا و توسعه با دامنه وسیعی درکاربردهای متنوع منابع توان پالسی را دارا می باشد. توپولوژی پیشنهادی مطرح شده با در نظر داشتن تاثیر مولفه های کلیدی آن، با دقت کامل از اجرای شبیه سازی در محیط نرم افزار MATLAB/SIMULINK به دست آمده می باشد که با مطالعه نتایج شبیه سازی، کارایی و قابل اجرا بودن این توپولوژی را جهت انجام اهداف مورد نظر که همان تولید پالس های قدرت بالا با ولتاژ زیاد و بهبود راندمان و قابلیت اطمینان منابع توان پالسی پلاسما می باشد، تائید می کند .
واژه‌های کلیدی:
 توپولوژی ،پلاسما ، قابلیت اطمینان و راندمان ،منبع توان پالسی، مبدل باک- بوست مثبت .


فهرست مطالب

عنوان صفحه
فصل اول آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما 1
1.1مقدمه
2.1 آشنایی با پلاسما
1.2.1 منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان پلاسما
3.1  جنبه های کاربردی منابع توان پالسی در پلاسما
 4.1 مبانی عملکرد منابع توان پالسی پلاسما        
 1.4.1مشخصات پالس های قدرت بالا در منابع توان پالسی
2.4.1ذخیره سازی انرژی الکتریکی
1.2.4.1 بانک خازنی
2.2.4.1 مولد مارکس
3.4.1 اصول کلید زنی در پلاسما
4.4.1 شبکه های شکل دهی پالس (PEN)
5.4.1 خط انتقال بلوملین (BLUMLEIN)
5.1   اهداف مورد مطالعه در این پایان نامه
6.1  نتیجه گیری
فصل دوممطالعه توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد بهره گیری درپلاسما
1.2 مقدمه
2.2 توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی پلاسما
1.2.2 توپولوژی مبتنی بر مولد مارکس
2.2.2 توپولوژی  مبتنی بر مبدل های dc  – dc
1.2.2.2 مبدل باک (Buck)
2.2.2.2 مبدل بوست (Boost)
 
فهرست مطالب

عنوان  

3.2.2.2 مبدل باک بوست (Boost -Buck)
4.2.2.2 مبدل کاک (Cuk)
5.2.2.2 مبدل های تشدیدی با کلیدزنی نرم
3.2.2 توپولوژی  مبتنی بر تقویت کننده های ولتاژ
4.2.2 توپولوژی مولدهای پالس مبتنی بر اینورترها
3.2 روش های کنترلی مورد بهره گیری در منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
1.3.2روش کنترلی منبع ولتاژ
2.3.2روش  کنترلی منبع جریان
4.3.2  روش کنترلی پسماند
4.2 نتیجه گیری
فصل سوم   طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت  برای منابع       توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
1.3 مقدمه
 2.3 طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک  بوست مثبت
1.2.3 آرایش مداری توپولوژی پیشنهادی
2.2.3 حالت های کلید زنی توپولوژی پیشنهادی
3.2.3 تحلیل مداری توپولوژی پیشنهادی
4.2.3 محاسبه مقدارdv/dt  تولید شده ناشی از کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما مبتنی بر توپولوژی           پیشنهادی
3.1.3 محاسبه مقادیر المان های منابع توان پالسی پلاسما
2.3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده  منابع توان پالسی پلاسما
3.3.3 محاسبه انرژی ذخیره شده در حالت بهره گیری از خازن اضافی در منابع توان پالسی پلاسما
فهرست مطالب

عنوان  

4.3 طراحی استراتژی کنترلی  منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
1.4.3 تحلیل روش کنترلی منبع ولتاژ  برای توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه
2.4.3 طراحی و تحلیل روش کنترلی منبع ولتاژ برای توپولوژی پیشنهادی در حالت دو طبقه
5.3 نتیجه گیری
فصل چهارم شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت برای منابع     توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
1.4 مقدمه
2.4 طریقه شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی برای منبع توان پالسی پلاسما
1.2.4 تعیین مقادیر المان و مولفه های اصلی منابع توان پالسی پلاسما
2.2.4 روش مدل سازی بار در توپولوژی پیشنهادی
3.2.4 شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه
4.2.4 شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی در حالت دو طبقه
3.4 تخمین  انرژی ذخیره شده در منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
4.4 شبیه سازی dv/dt  تولید شده ناشی از کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
5.4 نتیجه گیری
فصل پنجم بحث و نتیجه گیری
نتیجه گیری
مراجع
 
 
 
 
 
فهرست شکل ها

عنوان صفحه
فصل اول آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
شکل(11) نمایی از الکترودهای بکار رفته در پلاسما
شکل(12) منحنی دشارژ گازی ولتاژجریان حالت dc پلاسما
شکل (13) نمای کلی از ساختار منابع توان پالسی
شکل (14) منحنی مشخصات یک پالس تولید شده در منابع توان پالسی
شکل(15) نمونه ای از کمپرسور پالس مغناطیسی
شکل (16) نمونه ای از بانک خازنی بکار رفته در منابع توان پالسی
شکل(17) نمونه ای از مولد مارکس مورد بهره گیری در منابع توان پالسی
شکل (18) مدارهای اصلی مورد بهره گیری در منابع توان پالسی با المان های ذخیره ساز انرژی
شکل(19) نمونه ای از بانک خازنی با کلیدهای چندکاناله
شکل (110) آرایش مختلفی از شبکه نردبانی مورد بهره گیری در شبکه های شکل دهی پالس
شکل (111)  آرایش خط انتقال بلوملین
فصل دوم مطالعه توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد بهره گیری        در پلاسما
شکل (21) الف) نمونه ای از توپولوژی مبتنی بر مولد مارکس، ب) حالت شارژ مولد ، ج) حالت دشارژ         شکل(22)مبدل باک (Buck)
 

شکل(23)شکل موج های ولتاژ جریان و مدارمعادل مبدل باک  : (الف) کلید وصل  (ب) کلید قطع
شکل(2-4)مبدل بوست (Boost)
شکل(25)شکل موج های ولتاژ جریان و مدارمعادل مبدل بوست : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطع
شکل(26)مبدل باک بوست (Boost -Buck)
شکل(27) شکل موج های ولتاژ جریان و مدارمعادل مبدل باک   بوست : (الف) کلید وصل (ب) کلید قطع
شکل(28) مبدل باک بوست مثبت ( Positive Buck-Boost )
 
فهرست شکل ها

عنوان صفحه

 
شکل (29) مبدل کاک (Cuk)
شکل (210)مدار معادل مبدل کاک در حالت های کلید زنی : الف) حالت وصل کلید ب) حالت قطع کلید
شکل (211) شکل موج های جریان و ولتاژ مبدل کاک در حالت های کلید زنی
شکل (212) مبدل تشدید با کلیدزنی نرم
شکل (213)تقویت کننده ولتاژ N طبقه کوک کرافت والتون
شکل (214) توپولوژی های کنترلی مورد بهره گیری در یک منبع توان پالسی پلاسما
شکل (215)روش کنترلی منبع ولتاژ در منابع توان پالسی پلاسما
شکل(216)روش کنترلی منبع جریان مورد بهره گیری در منابع توان پالسی پلاسما
شکل(217)روش کنترلی حلقه جریان پسماند برای کنترل جریان سلفی در منابع توان پالسی پلاسما
شکل (218) روش کنترلی پسماند برای منابع توان پالسی پلاسما
فصل سوم طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت برای  منابع   توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
شکل(31) شمای کلی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک  بوست مثبت منبع توان پالسی
شکل (32) منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی با یک مجموعه کلیددیودخازن
شکل (33) منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی با دو مجموعه کلیددیودخازن
شکل (34) مدل سازی توپولوژی پیشنهادی جهت تحلیل حالات کلیدزنی در منبع توان پالسی
شکل(35) حالت کلیدزنی شارژ شدن سلف  در توپولوژی پیشنهادی
شکل(36) حالت کلیدزنی عبور جریان سلفی  در توپولوژی پیشنهادی
شکل(37) حالت کلیدزنی شارژ همزمان خازن ها  در توپولوژی پیشنهادی
شکل(38) حالت تامین بار  در توپولوژی پیشنهادی
شکل(39) حالت کلید زنی شارژ جداگانه خازن ها در توپولوژی پیشنهادی
شکل (310) فلوچارت کنترلی پیشنهادی
فهرست شکل ها

عنوان صفحه

فصل چهارم شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت برای منابع
توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
شکل (41) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی یک طبقه
شکل(42) شبیه سازی روش کنترلی منبع ولتاژ در توپولوژی پیشنهادی
شکل(43) مولفه ولتاژ توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه: (الف) کلید Ss (ب) کلید S1
شکل(44) مولفه جریان کلید بارSL توپولوژی پیشنهادی در حالت یک طبقه
شکل (45) شبیه سازی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی دو طبقه
شکل(46) مولفه ولتاژ توپولوژی پیشنهادی دو طبقه درحالت کلید زنی همزمان: (الف) خازنC1 یا کلید S1 (ب) خازنC2 یا کلید S2 (ج) کلید SL
شکل(47) مولفه های اصلی توپولوژی پیشنهادی دو طبقه درحالت کلید زنی جداگانه: (الف) ولتاژ خروجی (ب) جریان سلفی (ج) جریان خروجی(بار) IL (د) ولتاژ ورودی
شکل (48) شبیه سازی پیشنهادی جهت تخمین اندازه انرژی ذخیره شده
شکل(49) تخمین انرژی ذخیره شده در توپولوژی پیشنهادی: (الف)انرژی ذخیره شده در سلف (ب) انرژی ذخیره شده درخازن (ج) انرژی ذخیره شده در بار
شکل(410)  جریان خازنی در حالت کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
فهرست جدول ها

عنوان صفحه ه

فصل اول آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
جدول(11) تبیین نواحی منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان حالت dc پلاسما
جدول (12) اختصار ای از مشخصات منابع توان پالسی برای کاربردهای مختلف
جدول(13) دامنه پالس های تولید شده در منابع توان پالسی
جدول (14)مشخصات دو مدل از مولد مارکس نواری
جدول (15)مشخصات مولد مارکس قطعه ای مدلA 43733
جدول(16) کلیدهای نیمه هادی گازی در منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
فصل دوم مطالعه توپولوژی های موجود برای منابع توان پالسی مورد بهره گیری در             پلاسما
جدول(21) شاخص های کلیدی مبدل های dc dc
جدول(22) شاخص های کلیدی مبدل های تشدید با کلید زنی نرم
فصل سوم طراحی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت  برای منابع  توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
جدول( 31) شاخص های کلیدی توپولوژی های مورد استفاه در منایع توان پالسی پلاسما
فصل چهارم شبیه سازی توپولوژی پیشنهادی مبتنی بر مبدل باک بوست مثبت  برای منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
جدول (41) مقادیرمولفه و المان های  اصلی منبع توان پالسی پلاسما مبتنی بر توپولوژی پیشنهادی
جدول(42) مقادیر dv/dt تولید شده در حالت کلیدزنی گذرای توپولوژی پیشنهادی
جدول(43) اختصار ای از مقایسه بین دو آرایش مختلف توپولوژی پیشنهادی منبع توان پالسی پلاسما

2
3
5
5
6
8
10
11
14
15
17
18
18
 
19
20
20
20
22
22
23
25
 
صفحه
26
28
30
32
34
35
35
36
37
39
 
 
 
40
41
42
42
44
48
51
 
51
52
53
54
 
صفحه
55
55
56
58
59
 
60
61
61
62
62
 
63
65
67
69
70
72
 
73
76
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3
4
6
8
8
9
9
10
11
16
17
 
 
 
 
22
23
24
25
26
27
28
28
 
 
 
 
 
 
29
29
30
31
34
35
36
37
38
38
 
 
42
43
43
44
45
46
47
47
48
57
 
 
 
 
63
64
64
65
65
 
66
 
67
68
 
 
 
69
70
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4
6
7
13
13
15
 
 
 
 
32
32
 
 
 
 
41
 
 
 
62
70
71
 

لیست علایم و اختصارات
AC                                                                                 ) Alternating Current جریان متناوب (
BJT                                                      ) Bipolar Junction Transistorترانزیستور پیوند دو قطبی (
CCM                                                     ) Continuous-Conduction-Modeحالت هدایت پیوسته (
CDVM                           ( Capacitor-Diode Voltage Multiplier)تقویت کننده ولتاژ دیود و خازن   
CSR                                                                 ) Converter Series Resonanمبدل تشدید سری (
DC                                                                                          ) Direct Currentجریان مستقیم (
EMI                                                  ) Electromagnetic Interferenceتداخلات الکترومغناطیسی (
EMC    )                                           Electromagnetic Compatibilityسازگاری الکترومغناطیسی (
HV                                                                                                     ) High Voltageولتاژ بالا (
IGBT                             ) Insulated Gate Bipolar Transistorترانزیستور دوقطبی گیت عایق شده (
MBL                                                   )Multistage Blumlein Linesخطوط بلوملین چند طبقه ای (
MFC                                                      ) Magnetic Flux Compressorکمپرسور شار مغناطیسی (
MG                                                                                          ) Marx Generatorمولد مارکس (
MOSEFET ) Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistorترانزیستورنیمه هادی اکسید فلزی با اثر میدان(
MPC                                                    )Magnetic Pulse Compressorکمپرسور پالس مغناطیسی (
MVM                                                         ) Multilevel Voltage تقویت کننده ولتاژ چند سطحی (
PEF                                                                    ( Pulsed Electric Fieldمیدان الکتریکی پالسی (
PFC                                                   ) Power Factor Correctorsتنظیم کننده های ضریب قدرت (
PFN                                                               ) Pulse Forming Networkشبکه شکل دهی پالس (
SMPS                                     (Switched-Mode Power Supply)روش کلید زنی منابع توان پالسی
ZCS                                                                   )Zero Current Switchingکلید زنی جریان صفر (
ZVS                                                                    ) Zero Voltage Switchingکلید زنی ولتاژ صفر (
فصل اول
آشنایی با ساختار منابع توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما
 1.1مقدمه
اساس فناوری سیستم توان پالسی بر پایه ذخیره انرژی زیاد در زمان نسبتا طولانی و آزاد کردن خیلی سریع آن می باشد که هدف از فرآیند آزاد سازی انرژی، افزایش توان لحظه ای آن می باشد. از مشخصه های کلیدی منابع توان پالسی می توان به سطح ولتاژ و مدت زمان افزایش آن که بر مبنای مشخصات بار مورد نیاز تعیین می گردد، تصریح نمود]1[. روش های سازگاری منابع توان پالسی با بارهای متفاوت توسط تکنولوژی موجود، یکی از بحث های کلیدی فناوری سیستم توان پالسی مورد بهره گیری در پلاسما می باشد. بهره گیری از دانش پیشرفته و رویکردهای اخیر در الکترونیک قدرت و نیمه هادی ها به حساب سطح نیازمندی صنعتی و علمی آن می باشد که باعث پیشرفت سریع منابع توان پالسی در دهه اخیر شده می باشد.از ویژگی های بارز منابع توان پالسی جهت افزایش راندمان و قابلیت  اطمینان آن، پیچیدگی ها و ریزه کاری آن می باشد]2[. کنترل بهینه طریقه تولید توان در منابع تولید توان پالسی یک روش مهم و حیاتی برای افزایش راندمان می باشد. از سوی دیگر بهره گیری از منابع توان پالسی با ولتاژ بالا نیازمند کلیدهای قدرت بالا می باشد که ولتاژ شکست و زمان کلید زنی آن محدودی می باشد.
2.1 آشنایی با پلاسما
واژه “پلاسما” برای اولین بار در سال 1927 توسط ایروین لانگمویر[1] برای یک توده خنثی از ذرات باردار به کار رفت]3[. پلاسما را می توان با ایجاد یک اختلاف پتانسیل بین دو الکترود در یک محیط گازی به وجودآورد. میدان الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترودهای آند و کاتد، باعث یونیزاسیون ذرات گاز خنثی و ایجاد مسیر هدایت می گردد. در شکل(11) نمونه ای از الکترودها را نشان داده شده می باشد. ساده ترین حالت، خطوط میدان الکتریکی بین آند و کاتد که در آن میدان الکتریکی تقریبا یکنواخت می باشد، به اندازه و شکل الکترودها(دو الکترود مسطح با یک شکاف کوچک در میان شان می باشد) بستگی دارد]4[.
 
شکل(11) نمایی از الکترودهای بکار رفته در پلاسما
1.2.1 منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان پلاسما
شکل (12) منحنی دشارژ گازی ولتاژ جریان الکترودها را در حالت dc  نشان می دهد]5[. این منحنی دارای چند ناحیه می باشد که نام نواحی در جدول (11) به صورت اختصار اظهار شده می باشد.  ناحیه دشارژ تاریک پلاسما، که در آن دشارژ شروع می گردد. هر چند که برای ایجاد حالت شکست، این دشارژ به صورت کافی ذرات را تحریک نمی کند. به این دشارژ  تاریک می گویند زیرا که در این حالت دشارژ هیچ گونه انتقال انرژی به الکترون ها صورت نمی گیرد تا منجر به انتشار نور مرئی گردد. در دشارژ تاریک با یونیزاسیون، یون ها والکترون ها به تنهایی اشعه های کیهانی و اشکال دیگری از آن (مانند اشعه یونیزه کننده طبیعی) که با افزایش ولتاژ همراه می باشد، تولید می کند. در حالت اشباع با یونیزاسیون، تمام ذرات باردار حذف و الکترون ها به علت یونیزاسیون انرژی کافی ندارند. در حالت تاونزند با شروع یونیزاسیون، میدان الکتریکی ایجاد و جریان و ولتاژ به صورت نمایی افزایش می یابد]6[. بین حالت تاونزند و شکست در پلاسما، ممکن می باشد تخلیه کرونا صورت گیرد که در نتیجه میدان الکتریکی بر روی لبه های تیز الکترود متمرکز می گردد. تخلیه کرونا می تواند به صورت مرئی یا تیره باشد که به اندازه جریان عبوری از آن بستگی دارد. ناحیه دشارژ تابشی با حالت شکست شروع می گردد و با تشکیل قوس الکتریکی به پایان می رسد. به گونه عمده فرآیندهایی که منجر به شکل گیری حالت شکست و دشارژ تابشی می گردد را می توان به دو گروه اصلی تقسیم نمود: (الف) فرآیندهای گازی پلاسما، که در آن یونیزاسیون از برخورد الکترون و یون انجام می شود. (ب) فرآیندهای کاتدی پلاسما، که در آن الکترون ها از کاتد آزاد می شوند. به این فرآیند، به علت ایجاد الکترون در آن، فرآیند ثانویه نیز می گویند]7[.    با مطالعه مقالات چاپ گردیده در این مورد می توان دریافت که جنس کاتد تاثیر زیادی درایجاد حالت شکست دارد. توسط فرآیند ثانویه می توان انواع انرژی تابشی را بصورت فتوالکتریک که در آن انرژی نوری باعث آزاد شدن الکترون ها می گردد انتشار داد. در این مورد می توان به حالت گرما یونی در پلاسما نیز تصریح نمود، که در آن انرژی حرارتی باعث ایجاد الکترون و منجر به تولید میدان الکتریکی می گردد. جرقه های ناشی از دشارژ در این حالت بسیار شدید می باشد و دارای درخشندگی و چگالی جریان زیادی می باشد. قوس های ناشی از دشارژ را می توان معادل چگالی جریان زیاد در حد کیلو آمپر در سانتیمتر مربع در نظر گرفت. هرچند که شدت طبیعی قوس می تواند عامل فرسایش سریع تر الکترودها گردد]9،8[.
شکل(12)منحنی دشارژ گازی ولتاژجریان حالت dc پلاسما
جدول(11) تبیین نواحی منحنی دشارژ گازی ولتاژجریان حالت dc پلاسما

شماره 1 2 3 4 5 6 7 8 9
نواحی دشارژ تاریک دشارژ تابشی حالت جرقه ای حالت یونیزاسیون حالت اشباع حالت کرونا حالت تاونزند حالت شکست حالت تابشی
شماره 10 11 12 13
نواحی حالت تابشی غیر عادی حالت انتقالی از تابشی به جرقه حالت حرارتی حالت حرارتی با جرقه
 

1Irvine Langmuir
تعداد صفحه : 95
قیمت : 14700 تومان

بلافاصله پس از پرداخت لینک دانلود فایل در اختیار شما قرار می گیرد

و در ضمن فایل خریداری شده به ایمیل شما ارسال می گردد.

پشتیبانی سایت :        ****       serderehi@gmail.com

در صورتی که مشکلی با پرداخت آنلاین دارید می توانید مبلغ مورد نظر برای هر فایل را کارت به کارت کرده و فایل درخواستی و اطلاعات واریز را به ایمیل ما ارسال کنید تا فایل را از طریق ایمیل دریافت کنید.

***  *** ***

این مطلب رو هم توصیه می کنم بخونین:   پایان نامه کارشناسی ارشد برق گرایش قدرت: مکان یابی بهینه واحدهای تولید پراکنده در میکروگرید با در نظر گرفتن توان اکتیو و راکتیو
دسته‌ها: مهندسی برق